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NTR0202PLT1 发布时间 时间:2025/9/3 20:16:22 查看 阅读:7

NTR0202PLT1是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双N沟道功率MOSFET,封装在小型SOT-563封装中。该器件设计用于需要高效、低功耗开关的应用。两个MOSFET通道可以独立控制,适用于负载开关、DC-DC转换器和电源管理系统。

参数

类型:功率MOSFET(N沟道)
  漏源电压(Vds):20V
  漏极电流(Id):最大200mA(每个通道)
  导通电阻(Rds(on)):典型值为1.3Ω(在Vgs=4.5V时)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):0.5V至1.5V
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装:SOT-563(6引脚)

特性

低导通电阻,提高能效。
  双通道设计,允许独立控制两个负载。
  小型封装适用于高密度PCB布局。
  低栅极电荷(Qg),适合高频开关应用。
  内置静电放电(ESD)保护,提高可靠性。
  低功耗设计,适用于电池供电设备。
  高集成度,减少外部元件数量。
  支持逻辑电平驱动,兼容多种控制电路。
  良好的热性能,确保稳定运行。
  适用于低电压系统,提高设计灵活性。

应用

电池供电设备的电源管理。
  DC-DC转换器中的开关元件。
  负载开关控制,如LED背光或外围设备电源控制。
  便携式电子产品中的低电压功率管理。
  通信设备中的功率调节电路。
  嵌入式系统的电源控制模块。
  工业自动化设备的电源管理子系统。
  消费类电子产品的电源优化设计。
  汽车电子中的低压功率控制应用。
  物联网设备的节能控制电路。

替代型号

FDN340P(双P沟道MOSFET,可作为互补器件使用)
  NDS351AN(双N沟道MOSFET,具有更低Rds(on))
  DMN6024LDV(双N沟道MOSFET,较高电流能力)
  Si3443CDV(双N沟道MOSFET,适用于类似封装应用)

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NTR0202PLT1参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C400mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C800 毫欧 @ 200mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs2.18nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds70pF @ 5V
  • 功率 - 最大225mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTR0202PLT1OS