NTR0202PLT1是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双N沟道功率MOSFET,封装在小型SOT-563封装中。该器件设计用于需要高效、低功耗开关的应用。两个MOSFET通道可以独立控制,适用于负载开关、DC-DC转换器和电源管理系统。
类型:功率MOSFET(N沟道)
漏源电压(Vds):20V
漏极电流(Id):最大200mA(每个通道)
导通电阻(Rds(on)):典型值为1.3Ω(在Vgs=4.5V时)
栅极阈值电压(Vgs(th)):0.5V至1.5V
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装:SOT-563(6引脚)
低导通电阻,提高能效。
双通道设计,允许独立控制两个负载。
小型封装适用于高密度PCB布局。
低栅极电荷(Qg),适合高频开关应用。
内置静电放电(ESD)保护,提高可靠性。
低功耗设计,适用于电池供电设备。
高集成度,减少外部元件数量。
支持逻辑电平驱动,兼容多种控制电路。
良好的热性能,确保稳定运行。
适用于低电压系统,提高设计灵活性。
电池供电设备的电源管理。
DC-DC转换器中的开关元件。
负载开关控制,如LED背光或外围设备电源控制。
便携式电子产品中的低电压功率管理。
通信设备中的功率调节电路。
嵌入式系统的电源控制模块。
工业自动化设备的电源管理子系统。
消费类电子产品的电源优化设计。
汽车电子中的低压功率控制应用。
物联网设备的节能控制电路。
FDN340P(双P沟道MOSFET,可作为互补器件使用)
NDS351AN(双N沟道MOSFET,具有更低Rds(on))
DMN6024LDV(双N沟道MOSFET,较高电流能力)
Si3443CDV(双N沟道MOSFET,适用于类似封装应用)