时间：2025/8/6 1:28:26
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IXFP36N20X3 是一款由英飞凌（Infineon）推出的功率MOSFET晶体管，专为高效率功率转换和高电流负载应用而设计。这款MOSFET采用了先进的技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于各种工业电源、DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统。该器件采用TO-247封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适用于高功率密度设计。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：36A
漏-源极击穿电压（Vds）：200V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大60mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
IXFP36N20X3 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的击穿电压能力，能够在200V的工作电压下稳定运行，适合高压电源应用。
该MOSFET采用先进的沟槽栅技术，优化了开关性能，降低了开关损耗，同时具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，提高了器件的可靠性。
其TO-247封装不仅提供了良好的散热性能，还支持较大的电流承载能力，确保在高负载条件下的稳定运行。此外，该封装形式便于安装和散热器连接，适合各种工业级应用。
IXFP36N20X3 还具备快速开关特性，能够适应高频开关电源和DC-DC转换器的需求，减少能量损耗并提高整体系统效率。其栅极驱动电压范围宽泛，兼容多种驱动电路设计，提升了设计灵活性。
IXFP36N20X3 主要应用于高功率开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动和工业自动化控制系统。此外，它还可用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等高要求的电力电子领域。
在电源设计中，该器件能够有效降低导通和开关损耗，提高整体电源转换效率。在电机控制应用中，其快速开关特性和低导通电阻有助于实现精确的速度控制和高效能运行。
由于其优异的热性能和高可靠性，IXFP36N20X3 也常用于高温环境下的电力电子设备中，确保系统在恶劣条件下的稳定性和长期运行可靠性。
IRF3205, IXFH36N20D, STP36NF20
