NTMS4177PR是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关和功率管理应用。它具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度,适用于各种高效能的电子设备。这种MOSFET广泛应用于电源适配器、电池管理系统、电机驱动以及负载开关等领域。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:35A
导通电阻:4.5mΩ
总栅极电荷:68nC
开关时间:开启延迟时间 22ns,关断下降时间 13ns
NTMS4177PR具备卓越的电气性能,其低导通电阻确保了在大电流应用中的高效能量转换,从而减少了功耗和发热问题。
此外,该器件采用了先进的封装技术以提高散热性能和可靠性,并且能够承受较高的浪涌电流。它的快速开关特性使其非常适合高频开关应用,例如DC-DC转换器和PWM控制器。
NTMS4177PR还具有良好的热稳定性,在恶劣的工作条件下也能保持稳定运行。同时,它符合RoHS标准,支持环保制造流程。
NTMS4177PR广泛用于需要高效功率转换和控制的应用中,包括但不限于:
- 开关模式电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 电池充电和保护电路
- 电机驱动和控制
- 负载开关和保护电路
- 工业自动化设备中的功率管理模块
NTMS4178PT, IRFZ44N, FDP5500