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NTMS4177PR 发布时间 时间:2025/6/16 17:57:25 查看 阅读:16

NTMS4177PR是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关和功率管理应用。它具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度,适用于各种高效能的电子设备。这种MOSFET广泛应用于电源适配器、电池管理系统、电机驱动以及负载开关等领域。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:35A
  导通电阻:4.5mΩ
  总栅极电荷:68nC
  开关时间:开启延迟时间 22ns,关断下降时间 13ns

特性

NTMS4177PR具备卓越的电气性能,其低导通电阻确保了在大电流应用中的高效能量转换,从而减少了功耗和发热问题。
  此外,该器件采用了先进的封装技术以提高散热性能和可靠性,并且能够承受较高的浪涌电流。它的快速开关特性使其非常适合高频开关应用,例如DC-DC转换器和PWM控制器。
  NTMS4177PR还具有良好的热稳定性,在恶劣的工作条件下也能保持稳定运行。同时,它符合RoHS标准,支持环保制造流程。

应用

NTMS4177PR广泛用于需要高效功率转换和控制的应用中,包括但不限于:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - 电池充电和保护电路
  - 电机驱动和控制
  - 负载开关和保护电路
  - 工业自动化设备中的功率管理模块

替代型号

NTMS4178PT, IRFZ44N, FDP5500

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