时间：2025/12/26 1:51:19
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SCDS3D18NT1R0是一款由Vishay Semiconductor生产的高功率密度、表面贴装的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的Trench MOS技术，结合优化的封装设计，能够在紧凑的尺寸下实现优异的热性能和电气性能。SCDS3D18NT1R0属于Vishay PowerPAIR?系列，集成了两个独立的肖特基二极管芯片，采用共阴极配置，适用于需要高电流密度和低正向压降的应用场景。其主要优势在于在保持低导通损耗的同时，具备良好的反向耐压能力，适合用于DC-DC转换器、同步整流、电压钳位、续流二极管等电路中。
该器件封装于双扁平无引脚（Dual Flat No-lead, DFN）类型的SMA（SC-76）封装中，具有极低的热阻特性，有助于提高系统的散热效率。此外，无铅（Pb-free）和符合RoHS标准的设计使其适用于现代环保型电子产品制造。由于其高频工作能力和快速开关特性，SCDS3D18NT1R0特别适用于便携式电子设备、通信电源模块以及服务器电源系统等对空间和效率要求较高的场合。
产品类型：肖特基二极管阵列
配置：双共阴极
最大重复反向电压（VRRM）：30 V
平均整流电流（IF(AV)）：3 A（每芯片）
峰值浪涌电流（IFSM）：50 A
最大正向压降（VF）：1.0 V @ 3 A, TJ = 125°C
反向漏电流（IR）：0.5 mA @ 30 V, TJ = 125°C
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
热阻（RθJC）：3.5 K/W（典型值）
封装类型：DFN-SMA (2x2)
安装方式：表面贴装
引脚数：4
湿度敏感等级（MSL）：1级
符合标准：RoHS、无卤素、符合AEC-Q101（部分版本）
SCDS3D18NT1R0的核心特性之一是其采用的Trench MOS肖特基技术，该技术通过在硅基底上构建沟道结构来优化电场分布，从而有效降低单位面积下的正向压降并提升电流密度。这种设计不仅提高了能效，还显著减少了导通损耗，在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。此外，该器件在高温环境下的稳定性表现优异，即使在结温达到125°C时，其最大正向压降仍可控制在1.0V以内，这对于维持系统效率至关重要。得益于低VF特性，该二极管在电池供电或能量敏感型应用中能够显著延长续航时间。
另一个关键特性是其双芯片共阴极集成结构，允许两个独立的肖特基二极管共享同一个阴极连接，适用于全波整流或双通道同步整流拓扑。这种配置简化了PCB布局，减少了寄生电感，并提升了整体功率密度。同时，DFN-SMA小型化封装仅占用2mm x 2mm的板面空间，非常适合高密度组装需求。封装底部设有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内层或底层，实现高效散热，确保长期可靠性。
该器件具备出色的动态响应能力，反向恢复时间几乎可以忽略不计，因此在高频开关应用中不会产生明显的反向恢复电荷（Qrr），避免了额外的开关损耗和电磁干扰问题。这一特性使其成为DC-DC降压变换器次级侧整流、OR-ing二极管、防反接保护电路的理想选择。此外，器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环试验，确保在严苛工况下的稳定运行。
SCDS3D18NT1R0广泛应用于各类中低电压直流电源系统中，尤其适合那些对效率、尺寸和热管理有严格要求的场合。常见应用包括笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的多相 buck 转换器次级整流，用于替代传统快恢复二极管以提升整体能效。在服务器和数据中心的VRM（电压调节模块）中，该器件可用于同步整流拓扑，帮助实现更高功率密度和更低功耗。
此外，它也常被用于工业电源、LED驱动电源和电信整流模块中作为续流二极管或钳位二极管。在电池管理系统（BMS）或便携式医疗设备中，其低正向压降和高可靠性可有效减少发热，延长设备使用寿命。由于其支持表面贴装工艺且兼容回流焊流程，非常适合自动化大规模生产。在汽车电子领域，部分符合AEC-Q101认证的版本可用于车载信息娱乐系统、ADAS电源模块或车身控制单元中的DC-DC转换电路，满足车规级应用的安全与稳定性需求。
SDM3D18U1R0T
