GA1210A181JBLAR31G是一款由日本村田制作所(Murata)生产的片式多层陶瓷电容器(MLCC),主要用于高频电路中的信号耦合、去耦和滤波。该型号属于GRM系列,采用X7R介质材料,具有出色的温度稳定性和可靠性。这种电容器适用于各种消费电子、通信设备以及工业应用领域。
容量:0.1μF
额定电压:6.3V
公差:±10%
尺寸:1210 (3.2mm x 2.5mm)
介质材料:X7R
工作温度范围:-55℃至+125℃
封装类型:表面贴装器件 (SMD)
绝缘电阻:≥1000MΩ
GA1210A181JBLAR31G采用了先进的多层陶瓷技术制造,确保了其在高频环境下的低ESL(等效串联电感)和低ESR(等效串联电阻)。X7R介质材料保证了电容值在宽温度范围内保持稳定,适合用作电源滤波、信号耦合和旁路电容。
此外,这款电容器符合RoHS标准,具有优异的耐焊性,并且支持无铅焊接工艺。其紧凑的外形设计使其非常适合高密度印刷电路板布局。
GA1210A181JBLAR3、笔记本电脑、电视及音频设备中作为滤波和去耦元件。
同时,它也常见于通信基础设施设备例如路由器、交换机和基站中,用于提高射频信号的质量。
此外,在工业自动化控制模块、医疗设备和汽车电子系统中也有大量使用场景。
C1210C104K5RACTU
EE1210X7R1H104KA
EC1210X7R1E104KA