时间：2025/7/10 5:01:47
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NTMFS4C810NT1G-01 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理和功率转换应用。它通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理等场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 LFPAK88 (Power-88)，其紧凑的外形使其非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：150A
导通电阻（Rds(on)）：0.75mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：38nC
总热阻（结到壳）：1°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
NTMFS4C810NT1G-01 提供了出色的性能表现：
1. 极低的导通电阻确保了高效的能量传输并减少了功率损耗。
2. 快速开关能力使得其能够在高频应用中保持较高的效率。
3. 高额定电流支持大功率系统设计。
4. 坚固的结构设计能够承受恶劣的工作环境，并提供长期可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设备中。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 电信和网络设备中的 DC-DC 转换。
2. 服务器及笔记本电脑的电源管理。
3. 工业自动化控制中的电机驱动。
4. 汽车电子系统，如电动助力转向和制动系统。
5. 各类电池保护电路以及充电解决方案。
6. 高效功率因数校正（PFC）电路。
NTMFS4C809NTPB-01, IRF3205
