时间：2025/7/1 3:46:59
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IRF620S是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于Infineon（英飞凌）的HEXFET系列。该器件采用TO-220封装形式，适用于各种开关和功率转换应用。其主要特点是低导通电阻、高击穿电压以及快速开关性能，非常适合于电机驱动、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要高效功率管理的应用场景。
该器件的工作电压范围宽广，能够承受高达100V的漏源极电压，并且具有出色的热性能，使其能够在较高负载条件下稳定运行。
最大漏源极电压：100V
最大栅源极电压：±20V
连续漏极电流：9.2A
峰值脉冲漏极电流：48A
导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω
总栅极电荷：17nC
输入电容：1380pF
输出电容：240pF
反向传输电容：60pF
功耗：115W
IRF620S具备多种优越特性，使其成为高性能功率应用的理想选择：
1. 高效的功率转换能力，得益于其低导通电阻设计，可以显著降低传导损耗。
2. 快速的开关速度，总栅极电荷较小，适合高频开关应用。
3. 强大的电气性能，支持高达100V的工作电压和9.2A的连续漏极电流，确保在严苛环境下的可靠性。
4. TO-220封装提供了良好的散热性能，有助于提升系统的整体效率。
5. 热稳定性出色，能够在较宽温度范围内正常工作。
此外，该器件还具有较低的输入和输出电容，进一步提高了其开关性能和系统效率。
IRF620S广泛应用于各类电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），用于提高转换效率和减少能量损耗。
2. 电机驱动电路，支持高效、可靠的电机控制。
3. DC-DC转换器，提供稳定的电压输出以满足不同负载需求。
4. 逆变器和不间断电源（UPS）系统，确保电力供应的持续性和稳定性。
5. 各种工业自动化设备和消费类电子产品中的功率管理模块。
由于其强大的性能和可靠性，IRF620S在众多需要高效率和高可靠性的应用场景中表现出色。
IRF620N, IRF630N
