容量：256MB
　　组织结构：x16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　数据速率：400MHz
　　访问时间：5.4ns
　　数据宽度：16 位
　　刷新周期：64ms

HM-H250E2-8BS1-TG30 芯片具有多项高性能特性。首先，其 256MB 容量与 x16 的数据组织结构，使其适用于对存储带宽要求较高的系统，例如图形处理和嵌入式应用。该芯片采用 DDR2 SDRAM 技术，支持在时钟的上升沿和下降沿传输数据，从而实现双倍数据速率，提升整体系统性能。
　　其次，该芯片的 TSOP 封装设计有助于减小封装尺寸，同时保持良好的散热性能，适用于空间受限的高密度 PCB 设计。此外，HM-H250E2-8BS1-TG30 支持宽电压范围（2.3V 至 3.6V），使其在不同电源环境下都能稳定运行。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，满足工业级应用对极端环境的适应性要求。
　　这款芯片还具备自动刷新和自刷新功能，能够在系统休眠或低功耗模式下保持数据完整性，降低整体功耗。其访问时间仅为 5.4ns，确保快速响应，适用于需要高速数据存取的应用场景。此外，64ms 的刷新周期在保证数据稳定性的前提下，减少了刷新操作对系统性能的影响。

HM-H250E2-8BS1-TG30 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、消费类电子产品以及汽车电子系统。在嵌入式系统中，该芯片可作为主内存使用，为嵌入式处理器提供高速数据存取支持，提升系统运行效率。在工业控制领域，其宽温工作范围和稳定性使其适用于恶劣环境下的自动化控制设备。
　　在网络设备中，HM-H250E2-8BS1-TG30 可用于路由器、交换机等设备的缓存存储，提升数据处理速度和吞吐能力。在消费类电子产品方面，该芯片可应用于智能电视、数字机顶盒、游戏设备等，以满足对高性能存储的需求。此外，在汽车电子系统中，该芯片可作为车载信息娱乐系统、导航系统或驾驶辅助系统的临时存储器，确保系统在复杂环境下的稳定运行。

HM52256164AFP-B60, HY5DU281622FTP-4B, K4S561632E-BCB0