时间：2025/5/12 17:47:38
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BDFN3A052R是一款高压MOSFET晶体管，属于沟道增强型场效应晶体管。该器件主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。它采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，从而提高了系统的效率和性能。
这款器件的封装形式为SOT-23，适合表面贴装技术（SMD），因此在紧凑型设计中具有优势。其出色的电气特性和可靠性使其成为各种功率管理应用的理想选择。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：0.48A
栅极阈值电压：1.5V~3V
导通电阻：2.2Ω（典型值）
功耗：170mW
工作温度范围：-55℃~150℃
BDFN3A052R具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，适用于高频操作场景。
3. 小巧的SOT-23封装，节省PCB空间，适合便携式设备。
4. 出色的热稳定性，在宽温范围内保持性能一致性。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
该器件广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电池保护电路。
4. 负载开关和过流保护。
5. 消费类电子产品的电源管理模块。
6. 通信设备中的信号切换。
AO3401A
BSS138
FDS4957
