时间：2025/5/22 23:56:13
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IPB110P06LM 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 DPAK 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场合，例如 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动等。这款 MOSFET 的设计旨在优化效率和性能，同时提供出色的热特性和可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：110A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：37nC
总电容：1840pF
功耗：95W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPB110P06LM 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力，支持高达 110A 的连续漏极电流。
3. 快速开关特性，能够实现高频操作，适合现代高效能转换器。
4. 采用 DPAK 封装，具备良好的散热性能，可有效降低热阻。
5. 宽广的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适应各种严苛环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
IPB110P06LM 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
6. LED 照明驱动器中的功率调节模块。
7. 其他需要高效功率转换和控制的应用场景。
IPW110P06LNM, IRF7846TRPBF, FDP11N60E
