类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：19A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：12.5mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V～2.5V
　　功耗（Ptot）：44W
　　工作温度范围：-55°C～150°C
　　封装：PowerFLAT 5x6

PBB190STR 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。在 Vgs 为 10V 时，Rds(on) 的最大值仅为 12.5mΩ，这使得该器件在大电流应用中表现出色。此外，PBB190STR 支持高达 19A 的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 1.8V 至 12V 的逻辑电平驱动，便于与各种控制电路兼容。PBB190STR 还具备良好的热稳定性和高雪崩耐受能力，增强了器件在严苛环境下的可靠性和耐用性。
　　PowerFLAT 5x6 封装具有较小的占板面积和优异的散热性能，适合用于高密度 PCB 设计。该封装还具备较低的热阻（Rth），有助于提高器件在高负载条件下的散热效率。
　　此外，PBB190STR 具有快速开关特性，能够实现高频操作，减少开关损耗，适用于开关电源（SMPS）、同步整流、电机控制和负载开关等需要高速响应的应用。

PBB190STR 广泛应用于各类功率电子系统中，尤其适用于需要高效率和紧凑设计的场合。其主要应用包括同步整流 DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关、热插拔电源控制、电机驱动器以及电源管理模块等。
　　在同步整流器中，PBB190STR 可作为高侧或低侧开关，显著降低导通损耗，提高整体效率。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制和保护电路，确保系统的安全运行。作为负载开关，PBB190STR 能够高效控制电源路径，适用于便携式设备和服务器电源管理。
　　由于其快速开关特性和低 Rds(on)，PBB190STR 也常用于高频功率转换器和电机控制电路，如无刷直流电机（BLDC）驱动器和电动工具控制器。此外，其优异的热性能和可靠性使其在汽车电子、工业自动化和通信设备等领域也有广泛应用。

PBB190STR 的替代型号包括 PBB190S、PBT190STR、STL190N20F3、IPB190N20N 和 PBB20N20FS。这些型号在电气特性和封装形式上与 PBB190STR 相似，适用于类似的功率应用，但具体参数和性能可能略有差异，使用时应参考各自的数据手册进行匹配和验证。