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NTMFD4C50NT1G 发布时间 时间:2025/5/28 18:17:00 查看 阅读:9

NTMFD4C50NT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的超快恢复二极管,属于 NTMFD 系列。该器件采用 TO-220AB 封装形式,广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动等场景中。其主要功能是提供高效的整流性能,同时具有较低的反向恢复时间,从而减少开关损耗并提高系统效率。
  NTMFD4C50NT1G 的设计目标是满足高频开关应用的需求,能够在高频条件下保持稳定的性能和较低的热耗散。

参数

最大正向电流:12A
  峰值反向电压:50V
  正向电压(典型值):1.1V
  反向恢复时间:35ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-220AB
  功耗:150W

特性

NTMFD4C50NT1G 具有以下显著特性:
  1. 超低的反向恢复时间(35ns),适合高频开关应用。
  2. 高峰值正向浪涌电流能力,能够承受瞬时大电流冲击。
  3. 在高温环境下仍能保持稳定性能,最高结温可达 +175℃。
  4. 优异的热性能,有助于降低整体系统的热耗散。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  6. 正向压降低,可有效减少传导损耗,提高效率。

应用

NTMFD4C50NT1G 常用于以下领域和设备:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的整流和续流二极管。
  2. 电机驱动电路中的保护和续流元件。
  3. 太阳能逆变器和 DC-DC 转换器中的高效整流。
  4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  5. 汽车电子系统中的高频整流和保护。
  由于其高频性能和高可靠性,这款二极管非常适合需要快速切换和低损耗的应用场景。

替代型号

NTMFD4C50T1G
  MBR12U50CT
  STTH12H50F

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NTMFD4C50NT1G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型-
  • 技术-
  • 漏源电压(Vdss)-
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)-
  • 工作温度-
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道-非对称)
  • 封装/外壳8-PowerTDFN