时间：2025/7/8 11:17:56
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IAUC120N06S5N017是一款基于硅技术制造的高压功率MOSFET，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式结构和场截止技术，显著降低了导通电阻和开关损耗。其封装形式通常为TO-247或TO-220，适合用于工业电源、太阳能逆变器、电机驱动等应用场景。
这款芯片以高性能、低功耗为核心优势，能够满足严苛工作环境下的可靠性要求，并提供出色的热性能表现。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：120A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：130nC
输入电容：2500pF
反向恢复时间：90ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
IAUC120N06S5N017具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力，可有效减少开关损耗，适用于高频工作场景。
3. 出色的雪崩能力和短路耐受能力，提高了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 优化的热阻设计，确保了良好的散热性能。
5. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 提供多种保护机制，如过温保护和过流限制功能，增强了系统的安全性。
该芯片广泛应用于以下几个领域：
1. 工业电源供应器，包括AC-DC转换器和DC-DC变换器。
2. 太阳能光伏逆变器中的功率转换模块。
3. 电动汽车及混合动力汽车中的电机控制器。
4. 不间断电源（UPS）系统中的关键功率开关元件。
5. 各类大功率开关模式电源（SMPS）解决方案。
6. 高压LED驱动电路中的核心组件。
IAUC100N06S5N017, IRFP260N, STW85N65M5
