时间：2023/11/9 17:04:51
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类别：分离式半导体产品
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：43 毫欧 @ 4A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.2A, 3.4A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1100pF @ 10V
功率 - 最大：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽）
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：8-SOIC (窄型)
其它名称：NTMD2C02R2GOS
