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IS43TR16128BL-125KBLI 发布时间 时间:2025/5/9 18:36:14 查看 阅读:8

IS43TR16128BL-125KBLI 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的低功耗、高性能的 DDR3L SDRAM 芯片。该芯片采用先进的制程技术,支持低电压运行,广泛应用于对功耗敏感的嵌入式系统、网络设备和消费类电子产品中。
  DDR3L 是 DDR3 的低电压版本,工作电压为 1.35V,相较于标准的 DDR3(1.5V),能够显著降低功耗。此型号具有大容量存储能力,适用于需要高速数据传输和大容量内存的应用场景。

参数

容量:2Gb
  组织方式:16M x 16 x 8 banks
  接口类型:DDR3L
  工作电压:1.35V
  数据速率:800MT/s, 1066MT/s, 1333MT/s, 1600MT/s
  封装形式:BGA 96-ball
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  引脚间距:1.0mm
  封装尺寸:9mm x 9mm

特性

1. 低功耗设计,工作电压仅为 1.35V,适合便携式和节能型应用。
  2. 支持高数据传输速率,最高可达 1600MT/s,满足现代系统对带宽的需求。
  3. 内置自动刷新和自刷新功能,减少外部控制器的复杂性。
  4. 支持多种省电模式,如深度掉电模式(Deep Power Down Mode),进一步降低待机功耗。
  5. 具备强大的纠错功能,提高数据可靠性。
  6. 高密度封装设计,节省 PCB 空间,便于小型化产品设计。

应用

1. 嵌入式系统:
   - 工业控制设备
   - 医疗设备
  2. 消费类电子:
   - 数字电视
   - 游戏机
  3. 网络通信:
   - 路由器
   - 交换机
  4. 移动终端:
   - 平板电脑
   - 智能手表

替代型号

IS43TR16128B-125KBLI, IS42TR16128B-125KBLI

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IS43TR16128BL-125KBLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)