NTK3139PT1G
时间:2023/4/11 10:07:52
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概述
制造商:ONSemiconductor
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:Single
晶体管极性:P-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):0.38Ohms
正向跨导gFS(最大值/最小值):1.2S
汲极/源极击穿电压:-20V
闸/源击穿电压:+/-6V
漏极连续电流:-780mA
功率耗散:0.31W
最大工作温度:+150℃
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-723
封装:Reel
最小工作温度:-55C
StandardPackQty:4000
NTK3139PT1G参数
- 标准包装4,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 单
- 系列-
- FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C660mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C480 毫欧 @ 780mA,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds170pF @ 16V
- 功率 - 最大310mW
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳SOT-723
- 供应商设备封装SOT-723
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称NTK3139PT1G-NDNTK3139PT1GOSTR