时间：2025/8/6 0:04:23
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IXKT70N60C5是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET，广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源系统中。这款MOSFET设计用于处理高电压和大电流，适用于工业电源、UPS系统、电机控制和高频转换器等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：70A
最大漏极-源极电压：600V
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.145Ω（最大值0.175Ω）
最大功耗：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247AC
栅极电荷（Qg）：典型值75nC
输入电容（Ciss）：典型值1900pF
IXKT70N60C5具有低导通电阻，这使得它在导通状态下损耗更小，从而提高了整体效率。该器件采用了先进的平面技术，提供更高的可靠性和稳定性。此外，它具有高耐压能力，适用于600V的应用场景。TO-247AC封装有助于良好的散热，确保器件在高功率下稳定运行。其设计还支持快速开关，从而减少开关损耗并提高系统的整体效率。该MOSFET还具有较强的抗雪崩击穿能力，能够在恶劣的电气环境中提供保护。
IXKT70N60C5广泛应用于多种高功率电子设备中，例如工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器以及高频电源转换器。它在这些应用中能够提供高效的功率转换，并且能够承受较高的电流和电压应力。此外，该器件也适用于各种开关模式电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路。
IXFH70N60P、IRFP4668、IXFH75N60Q
