类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：800V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大漏极电流（ID）：2A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.2Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）

F2N80 MOSFET具有多个显著的性能特点，首先是其高达800V的漏源击穿电压（VDS），使其非常适合用于高压开关电路，如开关电源和LED驱动器。
　　其次，该器件的导通电阻较低，典型值约为1.2Ω，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
　　此外，F2N80具备良好的热稳定性，最大功率耗散为50W，使其在较高负载下仍能保持稳定工作。
　　其栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至20V之间可实现充分导通，适用于多种驱动电路设计。
　　该器件还具有较快的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外围元件尺寸并提升系统响应速度。
　　采用TO-220或TO-252封装形式，具备良好的散热能力，适合焊接在PCB上进行自动化生产。

F2N80主要应用于以下类型的电子电路和系统中：
　　1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管使用，控制能量传输与变换，适用于AC/DC和DC/DC转换器。
　　2. 电机驱动和控制：用于PWM控制电路中，驱动小型电机或风扇。
　　3. LED驱动器：在恒流驱动电路中作为开关元件，控制LED的亮度与电流。
　　4. 负载开关：用于控制大功率负载的通断，如加热元件、继电器或电磁阀。
　　5. 逆变器和UPS系统：用于直流到交流的转换环节，实现高效能电能变换。
　　6. 电池管理系统（BMS）：作为保护开关，控制电池充放电路径。

K2N80, F1N80, IRF840, FQPF2N80