类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：33A
　　最大漏源电压（Vds）：450V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.135Ω
　　功率耗散（Ptot）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-247

IXTK33N45 MOSFET 具有多个显著的电气和热特性，使其在高功率应用中表现出色。其最大漏极电流为 33A 和最大漏源电压为 450V，使得该器件能够处理高电压和高电流负载，非常适合用于电源转换器、电机驱动器和工业控制系统。该器件的导通电阻仅为 0.135Ω，这意味着在导通状态下功耗较低，从而提高了整体效率并减少了热生成。
　　此外，IXTK33N45 的功率耗散能力为 200W，这表明其能够在高负载条件下稳定运行，而不会因过热而失效。它的 TO-247 封装设计有助于提高散热性能，确保在高功率应用中的可靠性和长寿命。该器件还具有较高的栅极阈值电压稳定性，确保了在不同工作条件下能够可靠地导通和关断。IXTK33N45 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，使其适用于各种恶劣环境条件下的应用。

IXTK33N45 被广泛应用于多个领域，特别是在需要高电压和高电流控制的场合。在电源应用中，它常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器以及不间断电源（UPS）系统，以实现高效能的能量转换。由于其良好的导通特性和低功耗，它在电机控制电路中也非常受欢迎，例如用于变频器和伺服驱动器中的功率开关元件。
　　在工业自动化和控制系统中，IXTK33N45 用于驱动高功率负载，例如加热元件、电磁阀和继电器。此外，它还可以在太阳能逆变器和电动汽车充电设备中找到应用，这些设备需要高可靠性和高效能的功率开关。由于其在高温环境下的稳定性，该器件也适用于需要长时间运行且对可靠性要求较高的应用场合。

IRF3205, FDP33N45, IXTK33N45S