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GA0603Y222JXJAP31G 发布时间 时间:2025/5/23 14:13:42 查看 阅读:6

GA0603Y222JXJAP31G 是一款基于砷化镓(GaAs)工艺制造的高性能微波功率放大器芯片。该芯片主要用于无线通信系统、雷达设备以及其他高频应用领域,能够提供高增益、高线性度和低噪声特性。
  该器件采用先进的半导体设计技术,支持宽频带工作范围,同时具备出色的输出功率性能,适用于对信号质量要求较高的场合。

参数

型号:GA0603Y222JXJAP31G
  工艺:GaAs(砷化镓)
  频率范围:6 GHz 至 18 GHz
  增益:20 dB 典型值
  输出功率(1 dB 压缩点):+25 dBm 典型值
  饱和输出功率:+27 dBm 典型值
  电源电压:+5 V
  静态电流:200 mA 典型值
  封装形式:芯片级(裸片)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA0603Y222JXJAP31G 的主要特性包括:
  1. 高增益:在宽频带范围内提供稳定的增益表现,满足多种应用场景需求。
  2. 高输出功率:具有较高的1 dB压缩点输出功率和饱和输出功率,确保信号传输效率。
  3. 宽频带操作:支持从6 GHz到18 GHz的频率范围,覆盖多个通信频段。
  4. 低噪声系数:保证信号质量,减少干扰和失真。
  5. 稳定性:芯片经过优化设计,在不同温度条件下均能保持良好的性能。
  6. 小型化设计:采用芯片级封装,适合空间受限的应用场景。

应用

该芯片适用于以下领域:
  1. 微波通信系统:如卫星通信、点对点无线电链路等。
  2. 雷达系统:可用于气象雷达、航空雷达等多种类型。
  3. 测试与测量设备:为高频测试仪器提供可靠信号源。
  4. 无线局域网(WLAN):增强网络覆盖范围及数据传输速率。
  5. 其他需要高频、高功率放大的电子设备。

替代型号

GA0603Y222KXJAP31G
  GA0603Y222LXJAP31G

GA0603Y222JXJAP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-