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NTK3134NT1H 发布时间 时间:2025/5/19 10:35:38 查看 阅读:7

NTK3134NT1H 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源管理应用,如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。
  其封装形式为 SOT23-3L,非常适合用于空间受限的设计场景。由于其出色的电气性能和可靠性,NTK3134NT1H 成为许多便携式电子设备的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.5A
  导通电阻(Rds(on)):60mΩ
  栅极阈值电压:1V~2.5V
  工作结温范围:-55℃~150℃

特性

NTK3134NT1H 具有以下主要特性:
  1. 低导通电阻:其典型导通电阻仅为 60mΩ,有助于降低功耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度:能够实现高频切换,减少开关损耗。
  3. 小型封装:SOT23-3L 封装节省了 PCB 空间,非常适合便携式设备。
  4. 宽工作温度范围:支持从 -55℃ 到 150℃ 的结温范围,适应各种恶劣环境条件。
  5. 高可靠性和稳定性:经过严格测试以确保在长期使用中的稳定性能。

应用

NTK3134NT1H 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS):
   包括降压、升压和反激转换器。
  2. 负载开关:
   用于手机、平板电脑和其他便携式电子产品中。
  3. 电机驱动:
   控制小型直流电机或步进电机。
  4. 电池管理:
   在电池供电设备中进行充放电控制。
  5. 过流保护:
   提供短路保护功能。

替代型号

AO3400A
  SI2302DS
  FDMQ8207

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NTK3134NT1H参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型-
  • 技术-
  • 漏源电压(Vdss)-
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)890mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)±6V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-723
  • 封装/外壳SOT-723