NTK3134NT1H 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源管理应用,如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。
其封装形式为 SOT23-3L,非常适合用于空间受限的设计场景。由于其出色的电气性能和可靠性,NTK3134NT1H 成为许多便携式电子设备的理想选择。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:1.5A
导通电阻(Rds(on)):60mΩ
栅极阈值电压:1V~2.5V
工作结温范围:-55℃~150℃
NTK3134NT1H 具有以下主要特性:
1. 低导通电阻:其典型导通电阻仅为 60mΩ,有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度:能够实现高频切换,减少开关损耗。
3. 小型封装:SOT23-3L 封装节省了 PCB 空间,非常适合便携式设备。
4. 宽工作温度范围:支持从 -55℃ 到 150℃ 的结温范围,适应各种恶劣环境条件。
5. 高可靠性和稳定性:经过严格测试以确保在长期使用中的稳定性能。
NTK3134NT1H 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS):
包括降压、升压和反激转换器。
2. 负载开关:
用于手机、平板电脑和其他便携式电子产品中。
3. 电机驱动:
控制小型直流电机或步进电机。
4. 电池管理:
在电池供电设备中进行充放电控制。
5. 过流保护:
提供短路保护功能。
AO3400A
SI2302DS
FDMQ8207