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IS43DR86400E-25DBLI 发布时间 时间:2025/9/1 10:07:32 查看 阅读:9

IS43DR86400E-25DBLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于DRAM产品系列,具体型号为IS43DR86400E-25DBLI,主要面向需要大容量内存和高速数据存取的应用场景。该芯片采用CMOS工艺制造,具备良好的电气性能和稳定性,适用于通信设备、工业控制系统、网络设备等领域。

参数

容量:64Mbit
  组织方式:8M x 8 / 4M x 16
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:5.4ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:54引脚 TSOP
  接口类型:异步

特性

IS43DR86400E-25DBLI 具有以下几个显著的特性:
  首先,该芯片采用低功耗设计,在高速运行时仍能保持较低的功耗,适用于对功耗敏感的应用场景。其电源电压范围为2.3V至3.6V,允许在多种电源条件下稳定工作,提高了设计的灵活性。
  其次,该DRAM芯片的访问时间为5.4ns,提供快速的数据读写能力,满足高速数据处理的需求。其异步接口设计简化了与外部控制器的连接,并提高了系统的兼容性。
  此外,IS43DR86400E-25DBLI 采用54引脚TSOP封装,具有较小的封装尺寸,适用于空间受限的PCB设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境,确保在恶劣条件下仍能可靠运行。
  最后,该芯片具备较高的数据保持能力,支持自动刷新和自刷新模式,确保在长时间运行中数据的完整性。其CMOS工艺提供了良好的抗干扰能力和稳定性,适用于高可靠性应用。

应用

IS43DR86400E-25DBLI 主要应用于需要高速内存支持的电子设备和系统中。常见的应用包括通信设备,如路由器和交换机,用于缓存和处理高速数据流;工业控制系统,用于实时数据采集和处理;以及网络设备,用于存储临时数据和缓冲区管理。该芯片的低功耗和高速特性也使其适用于便携式设备和嵌入式系统,如手持终端、数据采集器等。
  在视频处理和图像处理领域,IS43DR86400E-25DBLI 可用于帧缓存和图像缓冲,提供快速的数据读写能力以支持高清视频流的处理。此外,该芯片还可用于测试设备和测量仪器,用于临时存储测量数据和运算结果,确保数据的实时性和准确性。
  由于其工业级温度范围和高可靠性,该芯片也广泛应用于航空航天、汽车电子等对环境适应性要求较高的领域。

替代型号

IS43DR86400B-25DBLI, IS43DR86400F-25DBLI, IS43DR86400G-25DBLI

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IS43DR86400E-25DBLI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格242 : ¥44.85649托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间400 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-TWBGA(8x10.5)