时间：2025/7/4 4:23:32
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IXTP64N055T 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沣道沟道功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其额定电压为 55V，连续漏极电流高达 64A，能够满足高性能功率管理需求。
该芯片封装形式通常为 TO-247 或其他大功率封装，以确保良好的散热性能和可靠性。IXTP64N055T 广泛应用于工业、汽车以及消费类电子领域。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：64A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷（典型值）：125nC
输入电容（典型值）：3000pF
总功耗：320W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
IXTP64N055T 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用。
3. 出色的热稳定性，适合长时间运行的高温环境。
4. 强大的雪崩能量耐受能力，增强器件的鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代设计中。
6. 采用先进的 Trench 技术，优化了电气性能和可靠性。
IXTP64N055T 被广泛用于以下应用：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
2. 电机驱动器中的逆变器桥臂。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
5. 电动汽车和混合动力汽车的牵引逆变器。
6. 各种需要高效功率管理的场合。
IXTH14N100T, IRFP2907Z, FDP066N06S
