NTGS3443BT1G 时间：2025/5/13 14:41:07 阅读：7

NTGS3443BT1G 是一款高性能的 N 沣道沟增强型场效应晶体管（MOSFET），专为高效率和低功耗应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备出色的导通电阻和开关性能，适用于广泛的电源管理、消费电子及工业应用。
　　NTGS3443BT1G 以其低导通电阻和优化的栅极电荷特性而闻名，能够显著提高电路效率并减少功率损耗。

参数

类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压 VDS：60V
　　最大栅源电压 VGS：±20V
　　连续漏极电流 ID：80A
　　导通电阻 RDS(on)：2.5mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极电荷 Qg：76nC（典型值）
　　总电容 Ciss：2780pF（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

NTGS3443BT1G 的主要特点包括：
　　1. 极低的导通电阻（RDS(on) 典型值为 2.5mΩ），有助于降低传导损耗，提高系统效率。
　　2. 高额定电流能力（80A），使其适合大电流应用。
　　3. 优化的开关特性，栅极电荷较小，可实现快速开关操作，降低开关损耗。
　　4. 宽广的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），确保在极端环境下的可靠运行。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
　　6. 提供 TO-220 封装形式，便于散热设计与安装。
　　这些特性使得 NTGS3443BT1G 成为 DC/DC 转换器、电机驱动、负载开关等应用的理想选择。

应用

NTGS3443BT1G 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
　　2. 电池管理系统（BMS）中的保护和控制开关。
　　3. 工业设备中的逆变器和变频器驱动。
　　4. 电动车和混合动力车中的电机驱动和电源转换。
　　5. 消费类电子产品的负载开关和保护电路。
　　由于其高效率和强大的性能，NTGS3443BT1G 在需要高性能和高可靠性的场景中表现尤为出色。