时间：2025/6/9 18:41:20
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NTGS3441T1G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 ON Semiconductor 公司生产。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特性，适用于各种功率转换应用。其封装形式为 TO-263 (D2PAK)，适合表面贴装技术（SMT），并提供出色的散热性能。
该器件广泛用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关和其他需要高效功率管理的场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：45A
导通电阻：1.7mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：2900pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
NTGS3441T1G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）在典型条件下仅为 1.7mΩ，能够显著降低传导损耗。
2. 快速开关能力，支持高频应用，减少开关损耗。
3. 高额定电流（高达 45A），适用于大功率系统。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
5. 提供卓越的热稳定性和可靠性，能够在极端温度范围内运行。
6. 表面贴装封装（TO-263），易于集成到现代电路板设计中。
NTGS3441T1G 适用于以下应用场景：
1. 工业设备中的 DC-DC 转换器。
2. 汽车电子系统，例如电动助力转向（EPS）、制动系统和电池管理系统。
3. 通信电源模块，如服务器电源和基站电源。
4. 大功率电机驱动，例如家用电器和工业自动化。
5. 开关模式电源（SMPS）和负载开关。
6. 可再生能源系统中的逆变器和功率调节单元。
NTGS3438T1G
IRFP2907ZPBF
FDP17N50C
STP10NK60Z
