类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：6.1A
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±8V
　　导通电阻（RDS(on)）：5.7mΩ @ VGS=4.5V，10.5mΩ @ VGS=2.5V
　　功率耗散（PD）：2.1W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TSOP6

NTGF3123F具备多项高性能特性，适用于各种功率电子系统设计。
　　首先，该MOSFET具有非常低的导通电阻（RDS(on)），在VGS为4.5V时典型值仅为5.7mΩ，在较低驱动电压（如2.5V）下也能保持良好的导通性能。这有助于降低导通损耗，提高能效，特别适合于要求高效能、低发热的应用场合。
　　其次，该器件采用了先进的Trench MOSFET工艺，使得其在小尺寸封装下仍能实现优异的电气性能。其TSOP6封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，而且具备良好的热管理和散热能力。
　　此外，NTGF3123F支持宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），确保了在极端环境条件下依然稳定运行。其栅极氧化层设计可承受高达±8V的栅源电压，增强了抗过压能力和系统可靠性。
　　最后，由于其低输入电容（CISS）和快速开关特性，该MOSFET非常适合用于高频开关应用，例如DC-DC转换器、同步整流电路、电机控制和LED照明驱动等。

NTGF3123F主要应用于以下领域：
　　1. **便携式电子产品**：如智能手机、平板电脑、移动电源等，作为负载开关或电源管理模块中的关键元件。
　　2. **DC-DC转换器与稳压器**：适用于高效的升压、降压及同步整流电路，提升整体电源转换效率。
　　3. **电池管理系统**：可用于保护电路中的充放电路径控制，确保电池安全运行。
　　4. **工业自动化与控制系统**：在PLC、伺服驱动器、传感器供电模块中用作高速开关器件。
　　5. **汽车电子**：如车载充电器、电动工具、车身控制模块等对空间和效率有较高要求的系统。
　　6. **LED照明驱动**：作为PWM调光控制中的主开关元件，提供稳定的亮度调节功能。

SI2302, FDN340P, AO3400, BSS138K