时间：2025/4/28 9:44:27
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S3P8469XZZ-QTR9 是一款高性能的功率MOSFET器件，主要应用于需要高效率和低导通电阻的场景。该器件采用先进的制造工艺，具备优异的电气性能和热特性。其设计旨在满足现代电源管理应用对小型化、高效化的需求，适合用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。
型号：S3P8469XZZ-QTR9
类型：N-Channel MOSFET
封装：LFPAK56E
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大连续漏极电流Id：120A
导通电阻Rds(on)：1.3mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：120W
工作温度范围：-55℃至175℃
S3P8469XZZ-QTR9具有非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体效率。此外，它还具有快速开关速度和较低的栅极电荷，这使其非常适合高频开关应用。器件内置了ESD保护电路，提升了抗静电能力，从而提高了系统的可靠性。同时，该器件的热性能优越，能够在高温环境下保持稳定运行。
由于采用了LFPAK56E封装，这款MOSFET不仅具备良好的散热性能，还支持表面贴装技术(SMT)，简化了生产流程并提高了组装效率。
S3P8469XZZ-QTR9广泛应用于各种高功率密度的场景中，包括但不限于：
- 开关模式电源(SMPS)
- 电动工具和家用电器中的电机驱动
- 汽车电子系统中的负载切换
- 工业自动化设备中的功率控制
- 数据中心服务器的供电模块
其低导通电阻和高电流处理能力使其成为这些应用的理想选择。
S3P8469XGZ-QTR9
S3P8469XUZ-QTR9
