时间：2025/7/9 19:16:57
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1210N180K501CT 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于高频和高效率功率转换应用。该器件采用增强型设计，支持栅极驱动电压范围为 0V 至 6V，并具有低导通电阻 (
典型值为 180mΩ)，从而在开关电源、DC-DC 转换器以及通信系统中表现出优异的性能。
它使用表面贴装封装技术，尺寸紧凑，适合高密度电路板布局。
型号：1210N180K501CT
类型：增强型 GaN HEMT
最大漏源电压 Vds：600V
最大栅源电压 Vgs：+6V/-3V
连续漏极电流 Id：10A
导通电阻 Rds(on)：180mΩ
输入电容 Ciss：250pF
输出电容 Coss：9pF
反向传输电容 Crss：4.5pF
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
1210N180K501CT 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 和开关损耗，使得其非常适合高频功率转换场景。
2. 增强型操作模式 (E-Mode)，无需复杂的偏置电路即可直接由标准逻辑电平驱动。
3. 具备高耐压能力 (Vds=600V)，适用于工业级或汽车级高压应用。
4. 封装尺寸小且热性能优越，能够满足现代电力电子设备对小型化和高效散热的需求。
5. 提供稳定的电气性能，在极端温度条件下依然保持可靠工作。
这款 GaN 晶体管广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器中的功率因数校正 (PFC) 级别。
2. DC-DC 转换器，特别是用于数据中心、服务器和电信基础设施的高性能模块。
3. 快速充电适配器，提供更高的效率和更小的外形尺寸。
4. 电机驱动器和可再生能源系统 (如太阳能逆变器) 中的关键功率组件。
5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器及牵引逆变器解决方案。
1208N150K501CT, 1210N100K501CT
