PDZ22B,115 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和电压调节应用。该器件具有稳定的击穿电压、低动态阻抗和良好的温度稳定性,适用于各种模拟电路和电源管理系统。
类型:齐纳二极管
标称齐纳电压:22V
最大耗散功率:300mW
最大齐纳电流:18mA
工作温度范围:-65°C 至 +150°C
封装形式:SOD323
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
最大反向漏电流(VR):100nA(典型值)
PDZ22B,115 的齐纳电压在额定电流下保持高度稳定,适合用于精密电压参考。该器件的低动态阻抗确保在负载变化时仍能维持稳定的输出电压。
其SOD323封装形式适用于表面贴装技术(SMT),便于自动化生产并节省PCB空间。器件的温度系数较低,能够在宽温度范围内保持良好的电压稳定性。
此外,PDZ22B,115 的设计符合AEC-Q101标准,适用于汽车电子系统中,确保在严苛环境下的可靠性与稳定性。其封装材料也符合RoHS环保标准,适用于绿色电子产品制造。
PDZ22B,115 主要用于电压参考电路,例如在电源管理IC、DC-DC转换器和稳压器中提供稳定的参考电压。它也适用于过压保护电路,作为电压钳位元件以保护后续电路免受高电压损坏。
在测量和测试设备中,该齐纳二极管用于确保测量精度。此外,它也广泛应用于汽车电子系统,如车载娱乐系统、车身控制模块和传感器接口电路。
由于其良好的温度稳定性和低功耗特性,PDZ22B,115 还适用于电池供电设备中的电压监测和调节电路。
BZX84C22LT1G, MMSZ5241B