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LDTA123JLT1G 发布时间 时间:2025/8/13 15:43:34 查看 阅读:30

LDTA123JLT1G是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件设计用于通用开关和放大应用,具有较高的可靠性和稳定性,适用于消费类电子、工业控制、通信设备等多种应用场景。LDTA123JLT1G采用SOT-23封装形式,便于在PCB上安装和使用,且具有良好的热稳定性和电气性能。

参数

类型:NPN型晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):300V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):300mW
  增益带宽积(fT):250MHz
  电流增益(hFE):110-800(根据等级划分)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:SOT-23

特性

LDTA123JLT1G晶体管具有多项优良特性,适用于多种电子电路设计。
  首先,其较高的集电极-发射极击穿电压(VCEO)为300V,使其能够在高压环境下稳定工作,适用于需要较高电压耐受能力的开关电路。
  其次,最大集电极电流为100mA,适合用于低至中等电流的放大和开关应用,能够在多种电路中作为驱动元件使用。
  此外,该晶体管的电流增益(hFE)范围广泛,根据不同的等级可提供110至800的增益值,适用于不同放大倍数要求的电路设计,具有良好的灵活性。
  LDTA123JLT1G的增益带宽积(fT)达到250MHz,表明其在高频应用中也具有良好的性能,适用于射频和高速开关电路。
  该器件采用SOT-23封装,具有较小的体积和良好的散热性能,适合在高密度PCB设计中使用,并具有较强的抗热冲击能力。
  其工作温度范围为-55°C至+150°C,能够在极端环境条件下可靠运行,适用于工业控制、汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场合。
  同时,LDTA123JLT1G具有较低的成本和较高的性价比,是许多通用晶体管应用的理想选择。

应用

LDTA123JLT1G晶体管广泛应用于多种电子系统中,主要适用于以下领域:
  在消费类电子产品中,如遥控器、玩具、小型家电和音频放大器等,LDTA123JLT1G可用于信号放大和开关控制,具有良好的稳定性和性价比。
  在工业控制领域,如传感器电路、继电器驱动、电源管理和自动化控制系统中,该晶体管能够作为开关元件或信号处理元件使用,满足多种电路设计需求。
  在通信设备中,如无线基站、射频模块和数据传输设备等,该晶体管可用于高频信号放大和处理,表现出良好的高频响应特性。
  此外,LDTA123JLT1G还可用于电源管理电路、LED驱动、DC-DC转换器等功率控制应用,其较高的电压耐受能力和良好的热稳定性使其在这些应用中表现出色。
  由于其宽工作温度范围,该晶体管也可用于汽车电子系统、航空航天设备和户外监控设备等恶劣环境下的电子系统中。

替代型号

BC547, 2N3904, PN2222A, MMBT3904, KSP2222A

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