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NTE4153NT1G 发布时间 时间:2023/4/12 11:00:43 查看 阅读:490

NTE4153NT1G技术参数

目录

概述

源漏极间雪崩电压VBR(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):230

最大漏极电流Id(on)(A):0.915

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):SC-89/-55 ~150

描述:20 V,915 mA,功率MOSFET

资料

厂商
ON Semiconductor

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NTE4153NT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C915mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C230 毫欧 @ 600mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs1.82nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds110pF @ 16V
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-89,SOT-490
  • 供应商设备封装SC-89-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTE4153NT1GOSTR