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NTE4153NT1G 时间：2023/4/12 11:00:43 阅读：531

NTE4153NT1G技术参数

概述

源漏极间雪崩电压VBR(V)：20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：230

最大漏极电流Id(on)(A)：0.915

通道极性：N沟道

封装/温度(℃)：SC-89/-55 ~150

描述：20 V,915 mA,功率MOSFET

资料

厂商
ON Semiconductor

NTE4153NT1G推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

NTE4153NT1G
深圳市宝芯创电子有限公司
1388
ON
2023+/SC89

NTE4153NT1G
深圳市高胜电子有限公司
12000
ON
22+/SOT523

NTE4153NT1G
深圳市佳丽达电子有限公司
15000
ON
21+/SOT523

NTE4153NT1G
深圳市锂斯特电子有限公司
90000
ON/安森美
23+/SC75

NTE4153NT1G
深圳宝芯林电子科技有限公司
30000
BX
22+/SC753

NTE4153NT1G
深圳市小联小商贸有限公司
6740
ON
23+/N/A

NTE4153NT1G
深圳市怡兴业电子科技有限公司
80000
ON
23+/SOT523

NTE4153NT1G
深圳市新思汇科技有限公司
60000
ON
24+/SC89

NTE4153NT1G
深圳市优尚半导体科技有限公司
6000
ON/安森美
23+/SOT523

NTE4153NT1G
重庆深宝晨科技有限公司
63000
ON
22+/SC89

NTE4153NT1G
深圳市尚想信息技术有限公司
6000
onsemi(安森美)
21+/SC75

NTE4153NT1G
深圳市佳蓓电子有限公司
30000
ON
22+/N/A

NTE4153NT1G
深圳市高胜电子有限公司
12000
ON
22+/SOT523

NTE4153NT1G
深圳市晶开元科技有限公司
90211
ON
23+/-

NTE4153NT1G
深圳市仕乙电电子有限公司
10000
ON
21+/SC893

NTE4153NT1G
深圳市讯运电子有限公司
669405
ORSEMI/安森美
22+/SC893

NTE4153NT1G
深圳市汇芯诚电子科技有限公司
200
ON
1122/SOT523

NTE4153NT1G
深圳市中元伟业电子商行
60000
ONSEMI/安森美
23+/SC893

NTE4153NT1G
深圳市硅诺电子科技有限公司
39204
ON
18+/SC896

NTE4153NT1G
深圳市念芯电子有限公司
79719
ON
20/21+/SC75

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型号
描述
品牌
阅览下载

NTE4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89
阅览

NTE4153NT1G
N CHANNEL MOSFET, 20V, 915mA, SC-89;...
阅览下载

IC词条百科

NTE4153NT1G产品

NTE4153NT1G参数

标准包装3,000
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列-
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C915mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C230 毫欧 @ 600mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）1.1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs1.82nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds110pF @ 16V
功率 - 最大300mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-89，SOT-490
供应商设备封装SC-89-3
包装带卷 (TR)
其它名称NTE4153NT1GOSTR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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