NTE4153NT1G
时间:2023/4/12 11:00:43
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概述
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):230
最大漏极电流Id(on)(A):0.915
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SC-89/-55 ~150
描述:20 V,915 mA,功率MOSFET
NTE4153NT1G参数
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 单
- 系列-
- FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C915mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C230 毫欧 @ 600mA,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)1.1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs1.82nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds110pF @ 16V
- 功率 - 最大300mW
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳SC-89,SOT-490
- 供应商设备封装SC-89-3
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称NTE4153NT1GOSTR