GA1206Y473KXJBT31G 是一种高性能钽电容器,属于 K 系列固态钽电容器。该型号设计用于要求高可靠性和稳定性的电路应用中。它具有较低的等效串联电阻(ESR)和较高的频率稳定性,适合在电源滤波、去耦和信号调节等场景中使用。
这种电容器采用表面贴装技术(SMT),能够承受多次焊接热循环,并具备卓越的机械性能和环境适应性。
容量:4.7μF
额定电压:31V
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装形式:SMD
外形尺寸:3.2mm x 1.6mm
耐纹波电流能力:高
等效串联电阻(ESR):低
GA1206Y473KXJBT31G 具备以下显著特点:
1. 高可靠性:符合 AEC-Q200 标准,适用于汽车级和其他关键应用。
2. 低 ESR 和 ESL(等效串联电感),可有效提高高频下的性能表现。
3. 小型化设计:采用紧凑型封装,节省 PCB 布局空间。
4. 耐高温性能优异:能够在极端环境下长期稳定运行。
5. 自愈特性:即使发生短路故障,也能通过内部保护机制恢复部分功能。
6. 稳定性强:容量随时间和温度变化较小,提供一致的电气特性。
该型号电容器广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:
1. 工业控制系统的电源模块。
2. 汽车电子领域,如发动机管理单元(ECU)、信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统(ADAS)。
3. 通信设备中的射频前端和基带处理电路。
4. 医疗设备中的敏感信号调理电路。
5. 消费类电子产品中的音频放大器和稳压电路。
其卓越的高频特性和抗干扰能力使其成为许多精密应用的理想选择。
GA1206Y473KXJBT31M
GA1206Y473KXJBT31P
GA1206Y473KXJBT31L