GA1812A390JXHAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率电源转换和电机驱动等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关特性和出色的热稳定性。其封装形式和电气性能专为工业级应用设计,确保在严苛环境下的可靠运行。
该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,适用于多种高频开关电路,例如 DC-DC 转换器、逆变器、电动工具驱动器以及其他需要高效功率管理的应用领域。
型号:GA1812A390JXHAR31G
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ (典型值,@ Vgs=10V)
栅极电荷(Qg):65nC (典型值)
输入电容(Ciss):2800pF (典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-3
GA1812A390JXHAR31G 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够显著降低传导损耗,提高系统效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷 Qg,适合高频应用场合。
3. 宽泛的工作温度范围,从 -55°C 到 +175°C,适应各种极端环境条件。
4. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的耐用性。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
6. 强大的散热性能,得益于 TO-247-3 大功率封装形式。
7. 稳定可靠的电气性能,确保长期使用中的稳定表现。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 工业用 DC-DC 转换器及开关电源(SMPS)。
2. 高效电机驱动器,如伺服电机、无刷直流电机(BLDC) 控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电设备。
4. 电动车辆(EV/HEV) 的动力管理系统。
5. 各类大功率负载切换电路。
6. UPS 不间断电源系统的功率模块。
7. 其他需要高效功率管理的电子设备。
GA1812A390JXHAR21G
IRF3205
FDP58N06L