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NTD60N02R-1G 发布时间 时间:2023/10/31 9:57:55 查看 阅读:105

产品种类:MOSFET小信号

目录

概述

制造商:ONSemiconductor
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:Single
晶体管极性:N-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):0.0084Ohms
正向跨导gFS(最大值/最小值):27S
汲极/源极击穿电压:25V
闸/源击穿电压:+/-20V
漏极连续电流:62A
功率耗散:1.87W
最大工作温度:+175

安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:DPAK
封装:Tube
最小工作温度:-55

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NTD60N02R-1G参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10.5 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1330pF @ 20V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件