时间：2025/5/7 18:07:27
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NTD5865NLT4G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产。该器件采用 LFPAK88 封装，适用于高频开关应用以及功率转换场景。其低导通电阻和快速开关速度使其成为高效率电源管理设计的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大连续漏电流：12A
最大脉冲漏电流：36A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：1.9mΩ
栅极电荷：37nC
反向恢复时间：26ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
NTD5865NLT4G 的主要特点是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少传导损耗并提高系统效率。此外，该器件具有快速开关能力，能够显著降低开关损耗。
它采用了 LFPAK88 封装，这种封装形式不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装技术（SMT），从而简化了制造流程。
该 MOSFET 在汽车电子、工业控制及消费类电子产品中表现出色，特别适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用。
NTD5865NLT4G 广泛应用于需要高效功率管理的场合，包括但不限于以下领域：
- 汽车电子中的电池管理系统（BMS）和电动助力转向（EPS）
- 工业设备中的逆变器和电机驱动
- 消费类电子产品的适配器和充电器
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关模式电源（SMPS）
NTMFS5C626NL, IRF7739TRPBF, AO4402A
