时间：2025/4/3 15:35:00
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IMH11AT110 是一款高性能的功率 MOSFET，基于先进的半导体制造工艺设计。该器件采用 TO-263 封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及各种工业控制领域。其卓越的导通电阻和开关特性使其成为高效率功率转换应用的理想选择。
IMH11AT110 属于 N 沟道增强型 MOSFET，具备低导通电阻和高电流处理能力，能够显著降低系统功耗并提升整体效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：40A
导通电阻（典型值）：5.5mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：1750pF
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻，能够在高电流应用中减少功率损耗。
2. 高击穿电压设计，确保在高压环境下的可靠性。
3. 快速开关性能，适合高频应用场合。
4. 优秀的热稳定性，可在宽温范围内正常工作。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代电子设备的要求。
6. 小巧的封装尺寸，便于电路板布局设计。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器，尤其是降压拓扑结构中的功率开关。
3. 各类电机驱动电路，如步进电机、无刷直流电机等。
4. 工业自动化设备中的负载开关或保护电路。
5. 电池管理系统中的充放电控制元件。
6. 汽车电子领域的负载切换与控制。
IRFZ44N
STP40NF10L
FDP15U10A
IXFK40N10T
AO3400A
