时间：2025/12/24 5:44:27
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NTD4906NT4G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等电路中。该器件采用 TO-252 封装形式，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于需要高效能和低功耗的应用场景。
NTD4906NT4G 的主要设计目标是提供出色的开关性能和耐热能力，同时具备良好的电气特性以满足多种工业及消费类电子设备的需求。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：17A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：17nC
开关速度：100ns
封装形式：TO-252
NTD4906NT4G 的导通电阻非常低，仅为 2.8mΩ，这使其在高电流应用中能够显著减少功率损耗并提高系统效率。
此外，其栅极电荷较小（17nC），可以实现快速的开关操作，从而降低开关损耗。
该器件还具有优异的热性能，能够承受较高的结温范围（-55°C 至 +150°C），确保在恶劣环境下的稳定运行。
由于采用了先进的制造工艺，NTD4906NT4G 具备出色的可靠性和一致性，适合大批量生产需求。
其紧凑的 TO-252 封装也便于 PCB 布局和安装，非常适合空间受限的设计。
NTD4906NT4G 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流管或上桥臂开关。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 消费类电子产品中的电池管理单元。
凭借其卓越的性能，NTD4906NT4G 成为许多高性能电源解决方案的理想选择。
NTD4905N, IRFZ44N, FDP5501
