封装类型：HZIP（厚膜封装）
　　输入电压范围：85VAC - 265VAC（宽输入范围）
　　输出功率：最大可达60W（根据设计）
　　开关频率：约67kHz
　　最大占空比：约70%
　　内置功率MOSFET：650V/7A
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　保护功能：过流保护（OCP）、过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）、过热保护（OTP）
　　调制方式：PWM控制
　　启动电流：典型值为50μA
　　待机功耗：小于1W

STR-X6759B具有多项先进特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，它集成了高压启动电路，使得芯片在启动时能够快速进入工作状态，减少了外部启动元件的数量，提高了系统的可靠性。其次，内置的功率MOSFET不仅简化了外围电路，还提高了整体的转换效率，降低了功耗。该芯片的PWM控制器具有良好的线性调节能力和负载调节能力，能够根据输入电压和负载的变化自动调整占空比，保持输出电压的稳定。
　　在保护功能方面，STR-X6759B具备多重保护机制，确保系统在各种异常情况下都能安全运行。过流保护（OCP）可以在负载电流超过设定值时立即停止开关操作，防止功率MOSFET和输出元件过载损坏。过压保护（OVP）能够在输出电压超过安全阈值时切断电源，保护连接的负载设备。欠压锁定（UVLO）功能确保芯片在输入电压过低时不工作，避免了因电压不足导致的不稳定工作状态。此外，过热保护（OTP）能够在芯片温度过高时自动关闭电源，防止热损坏。
　　STR-X6759B还具有低待机功耗的特点，符合现代电子产品对节能环保的要求。其典型的启动电流仅为50μA，大大降低了待机时的能耗。该芯片的工作温度范围较宽，从-40°C到+150°C，适用于各种严苛的环境条件。

STR-X6759B广泛应用于各类开关电源系统中，尤其是需要高效率、小体积和高可靠性的场合。常见的应用包括笔记本电脑电源适配器、手机充电器、LED照明驱动电源、家电电源模块以及工业控制设备的电源系统。由于其内置功率MOSFET和多种保护功能，特别适合用于设计紧凑型电源解决方案。

STR-X6769B, STR-X6757B, STR-X6761B