TVA0300N05W3 时间：2025/7/26 16:00:50 阅读：6

TVA0300N05W3 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流能力和良好的热性能。TVA0300N05W3 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等领域。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：110 A（在 VGS = 10 V，Tc = 25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 3.0 mΩ（在 VGS = 10 V）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6 HV
　　安装类型：表面贴装

特性

TVA0300N05W3 具有低导通电阻（RDS(on)）的特性，这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了优异的热管理和高电流承载能力。其封装设计（PowerFLAT 5x6 HV）具有良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持在不同应用中灵活使用，同时具备较高的可靠性和耐用性。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于电源管理、DC-DC 转换器和负载开关等高效率应用场景。
　　TVA0300N05W3 还具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在极端工作条件下保持稳定运行。该器件的封装设计也支持自动化装配，适合大规模生产使用。

应用

TVA0300N05W3 主要用于需要高效功率转换和管理的应用场景，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统。该器件的高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用，如服务器电源、工业控制系统、便携式电子设备和电动交通工具的电源系统。