时间：2025/6/14 17:39:27
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NTD4806N-1G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装，适用于多种开关和功率管理应用。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效电源设计的理想选择。
该芯片广泛应用于消费电子、工业设备以及通信系统等领域，例如开关电源、电机驱动器、负载开关以及其他需要高频开关性能的场景。
最大漏源电压：60V
最大栅极源极电压：±20V
最大连续漏极电流：17A
导通电阻：3.6mΩ（在 Vgs=10V 时）
总功耗：28W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-252 (DPAK)
NTD4806N-1G 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低传导损耗并提高效率。
2. 高电流处理能力，支持高达 17A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，适合高频应用环境。
4. 强大的热稳定性，能够在宽泛的工作温度范围内保持性能。
5. 小巧的 DPAK 封装形式，便于 PCB 布局与散热设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
NTD4806N-1G 被广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 各类电池供电设备中的负载开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. LED 照明驱动器中的功率开关。
5. 通信设备及工业自动化控制系统中的电源管理模块。
NTMFS4806N, FDP5512, IRF7832
