时间：2025/5/6 20:42:08
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CSD17483F4是一款由TI（德州仪器）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于需要高效能功率转换的场合。其封装形式为SON-8（小外形无引脚封装），适合紧凑型设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：25A
导通电阻：3.6mΩ
栅极电荷：39nC
开关速度：非常快
工作结温范围：-55℃至150℃
CSD17483F4的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少传导损耗。
2. 高效的开关性能，适用于高频应用。
3. 小尺寸SON-8封装，有助于减小整体解决方案的体积。
4. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电路设计中。
5. 优秀的热性能，能够在较高温度下稳定运行。
这款MOSFET常用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. DC-DC转换器，尤其是降压转换器。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 工业设备中的负载切换功能。
5. 消费类电子产品的高效功率管理模块。
CSD17576Q5A, CSD17578Q5A
