IRLML0040是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用微型SO-8封装,广泛应用于需要低导通电阻和高开关速度的场合。其典型应用包括负载切换、DC-DC转换器、电机驱动、电源管理电路等。IRLML0040因其低导通电阻和良好的热性能而备受青睐。
最大漏源电压(Vds):20V
最大栅源电压(Vgs):±12V
连续漏极电流(Id):6.7A
导通电阻(Rds(on)):40mΩ (在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):1.5W
工作温度范围(Ta):-55°C至+150°C
封装类型:SO-8
IRLML0040具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 支持逻辑电平驱动,可以直接与3.3V或5V逻辑系统接口,无需额外的驱动电路。
3. 小巧的SO-8封装节省了PCB空间,同时提供了良好的散热性能。
4. 高速开关能力,适合高频开关应用。
5. 能够承受较高的瞬态脉冲电流,增强了可靠性。
6. 工作温度范围宽广,适应各种环境条件下的使用需求。
IRLML0040适用于以下领域:
1. 移动设备中的负载切换。
2. 开关模式电源(SMPS)和DC-DC转换器。
3. 电池供电设备中的电源管理。
4. 小型电机驱动和控制。
5. 信号电平转换和缓冲。
6. 各类便携式电子设备中的高效开关应用。
IRLML6402
IRLML2502
AO3400