类型：瞬态电压抑制二极管阵列
　　通道数：2通道
　　工作电压（VRWM）：5.0V
　　击穿电压（VBR）：最小6.4V，最大7.8V
　　钳位电压（VC）：最大13.0V（在IPP=1A条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（8/20μs波形）
　　峰值脉冲功率（Ppk）：约13W（非重复性）
　　漏电流（IR）：最大1μA @ VRWM
　　电容值（Cj）：典型值为15pF（f=1MHz, V=0V）
　　极性：双向
　　封装形式：SOT-23-6L 或 DFN1.8x2-6
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

WL02DTS1N0的核心特性之一是其优异的瞬态抑制能力，能够在纳秒级别内响应来自外部环境的静电放电（ESD）冲击或电感性负载切换引起的电压浪涌。这种快速响应机制得益于其内部采用的高性能硅PN结结构，能够将瞬态高压迅速钳位于安全水平，防止下游IC因过压而失效。该器件支持IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV接触放电）和IEC 61000-4-4（EFT）等国际电磁兼容标准，适用于需要高抗扰度的终端设备。
　　另一个关键优势是其低动态电阻和稳定的钳位性能，在承受规定范围内的瞬态电流时，输出电压上升幅度可控，有效避免了保护动作过程中对系统逻辑电平的误扰动。同时，WL02DTS1N0具有极低的寄生电容（典型值15pF），这使其非常适合用于高频信号路径的保护，不会显著影响信号完整性，尤其适用于高速差分线路如CAN、LIN、USB 2.0等应用场合。
　　该器件还具备良好的热稳定性与长期可靠性，经过严格的高温反偏（HTRB）、高温高湿反向偏置（H3TRB）及温度循环测试验证，确保在复杂环境下的耐久性。其小型化封装不仅节省PCB空间，而且符合现代电子产品轻薄化趋势。此外，WL02DTS1N0采用无铅环保材料制造，符合RoHS与REACH指令要求，适合在全球范围内推广使用。整体而言，该TVS阵列为设计师提供了一种高效、可靠且易于集成的电路保护解决方案。

WL02DTS1N0常用于各类需要抗静电和瞬态电压保护的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于保护其USB接口、耳机插孔、触摸屏控制器及其他外露连接器免受人体静电放电的影响。在工业自动化领域，它被部署于PLC输入输出模块、传感器接口和通信总线（如RS-485、CAN总线）中，以提升系统的电磁兼容性和现场运行稳定性。
　　在汽车电子方面，WL02DTS1N0可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块以及车内网络通信节点的ESD防护，满足AEC-Q101车规级认证要求（若型号通过）。此外，由于其双向极性和对称响应特性，该器件也适用于交流信号线路或双向数据传输通道的保护。在通信设备中，例如路由器、交换机和光模块前端电路，WL02DTS1N0可有效抑制雷击感应或电源耦合引入的瞬态干扰，保障数据传输的连续性与设备安全性。总之，凡是有暴露接口或易受外部电气应力影响的电路节点，都是WL02DTS1N0的理想应用位置。

SM712-02UTCG
　　SP1205-02UTG
　　TPD2E001DBVR
　　ULC0524P6X