时间：2025/5/8 16:21:11
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NTD2955T4G是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，采用TO-263-3封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种高效能功率转换应用。其主要应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器等领域。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：8.7A
导通电阻：0.018Ω
总功耗：40W
工作结温范围：-55℃至150℃
NTD2955T4G的导通电阻较低，能够有效减少传导损耗，提升系统效率。
该器件具备快速开关能力，可降低开关损耗，非常适合高频应用。
其采用TO-263-3封装，便于散热设计，同时提供可靠的电气性能。
由于其耐热能力和较高的电流处理能力，适用于较为严苛的工作环境。
此外，它还拥有良好的抗静电能力，提升了器件在实际使用中的稳定性。
NTD2955T4G广泛应用于开关模式电源(SMPS)中作为功率开关。
它可以用于电机驱动电路中，实现对电机的有效控制。
在负载开关应用中，该MOSFET能够提供低损耗的导通路径。
此外，在各类DC-DC转换器设计中，NTD2955T4G可以作为主开关或同步整流器件使用。
NTD2955N4G
IRF540N
FDP16N60
