时间：2025/6/30 8:51:13
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TESDN081BD32是一款基于硅材料制造的N沟道增强型MOSFET晶体管，主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高电流承载能力，能够在高频>该MOSFET采用TO-252小型表面贴装封装形式，适合紧凑型设计需求，同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：12A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：25nC
开关时间：ton=10ns, toff=25ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
TESDN081BD32拥有出色的电气性能，包括超低的导通电阻，这使其在大电流应用中能显著降低功率损耗。
此外，其快速的开关速度有助于减少开关损耗，特别适合高频DC-DC转换器等应用。
该器件还具备较高的雪崩击穿能力和热稳定性，确保在极端工作条件下的可靠性。
由于采用了先进的封装技术，其散热性能优异，能够支持长时间稳定运行。
TESDN081BD32广泛应用于各类电力电子设备中，如开关电源适配器、笔记本电脑充电器、LED驱动电路以及工业自动化控制中的电机驱动模块。
它还可用于电池管理系统中的负载切换开关，或作为逆变器中的功率级开关元件。
此外，在消费类电子产品领域，例如智能手机快充头及便携式设备中也常见该型号的应用实例。
IRFZ44N
STP12NK6
FDP5500
