时间：2025/6/19 18:10:57
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NTD25P06LT4G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该器件采用 TO-252 封装，具有低导通电阻和良好的开关特性，能够有效降低功耗并提高系统性能。
NTD25P06LT4G 的主要特点是其出色的 Rds(on) 和 Qg（栅极电荷）参数，使其在高频开关条件下表现优异。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：25A
导通电阻：8.5mΩ
栅极电荷：13nC
总电容：325pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
NTD25P06LT4G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少传导损耗，从而提高效率。
2. 较小的栅极电荷（Qg），适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
5. 良好的热稳定性和可靠性，适用于严苛的工作环境。
6. 快速开关速度，减少开关损耗。
7. 小巧的 TO-252 封装形式，节省 PCB 空间。
NTD25P06LT4G 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流电机控制和驱动。
3. 电池管理系统中的负载切换。
4. LED 驱动器中的功率级开关。
5. 通信设备中的 DC/DC 转换模块。
6. 工业自动化设备中的功率管理电路。
7. 消费类电子产品中的保护电路和功率转换部分。
NTD25P06N, IRFZ44N, FDP25N06L
