时间：2025/6/6 16:23:07
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MPP-104J1000V是一种金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具体为N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于高电压应用场合，具有出色的开关性能和较低的导通电阻特性。
该型号主要面向工业和消费电子领域，例如开关电源、电机驱动器以及各类逆变器等应用。其采用TO-220封装形式，便于散热并适合高功率密度设计需求。
最大漏源电压：1000V
连续漏极电流：4A
栅极-源极电压（最大）：±20V
导通电阻（典型值，在Vgs=10V时）：8Ω
总功耗：160W
工作温度范围：-55℃至+175℃
MPP-104J1000V具备以下关键特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达1000V的漏源电压，适合高压电路环境。
2. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高效率。
3. 快速开关速度，可实现高效的高频操作。
4. 内置反向二极管，支持续流功能，简化电路设计。
5. 良好的热稳定性，即使在极端温度条件下也能保持可靠运行。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，无铅设计。
这些特点使MPP-104J1000V成为需要高效能和高可靠性的电力电子系统的理想选择。
MPP-104J1000V广泛应用于多种高压场景中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器和工业电源。
2. 电机控制和驱动系统，如家用电器中的直流无刷电机控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换设备。
4. 不间断电源（UPS）系统。
5. 各类高压负载切换和保护电路。
MPP-104J1000V凭借其卓越的电气特性和可靠性，为这些应用提供了稳定且高效的解决方案。
MPP10N100,
IXTH10N100,
STP10NK100Z
