FDS4501AH-NL 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),由 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor)生产。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力的特点,适用于多种高频开关应用和功率管理电路。
FDS4501AH-NL 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,能够在高效率的应用中提供卓越的性能表现。其封装形式为 SO-8 封装,适合表面贴装技术(SMT),从而满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 (Vds):30V
最大栅源电压 (Vgs):±20V
连续漏极电流 (Id):19A
导通电阻 (Rds(on)):3.6mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下)
栅极电荷 (Qg):17nC(典型值)
总功耗 (Ptot):1.9W(在 TA=25°C 下)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够显著降低导通损耗,提高系统效率。
2. 快速开关速度,支持高频开关应用,减少开关损耗。
3. 高电流承载能力,适合大功率负载控制场景。
4. 小巧的 SO-8 封装设计,便于 PCB 布局和优化散热管理。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代化生产需求。
6. 宽工作温度范围,确保在极端环境下的稳定性和可靠性。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。< 转换器和降压/升压转换器的核心功率开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动和逆变器电路中的功率级元件。
5. 便携式电子设备中的高效功率管理模块。
6. LED 驱动器中的电流调节开关。
1. FDS6680A - 具有相似的 Rds(on) 和封装形式,但更高的持续漏极电流能力。
2. IRF7406TRPBF - 导通电阻稍高,但成本更低,适用于轻载应用。
3. AO3400A - 现代替代品,导通电阻更低,适用于更高效的系统设计。
4. SI4476DY-T1-E3 - 与 FDS4501AH-NL 性能相近,但来自 Vishay 的产品线。
5. BSS138W - 如果需要更低电流等级的 MOSFET,可作为备选方案。