时间：2025/9/14 0:33:05
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MBRF20H50CT 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双共阴极肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier），专为高效率、高频整流应用设计。该器件采用TO-220-3封装，适合用于电源转换、DC-DC变换器、续流二极管及反向电压保护电路等场合。MBRF20H50CT 内部集成了两个肖特基二极管，具有较低的正向压降（VF）和快速的开关特性，有助于提升系统效率并降低功耗。
最大重复峰值反向电压：50V
最大平均整流电流：20A
峰值浪涌电流：100A
正向压降（IF=10A时）：0.47V（典型值）
反向漏电流（VR=50V时）：0.5mA（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
存储温度范围：-65°C 至 +175°C
MBRF20H50CT 的主要特性之一是其低正向压降，这有助于显著降低导通损耗，提高电源转换效率。在20A的工作电流下，正向压降仅为0.47V左右，相较于传统的快恢复二极管，其功耗降低了30%以上，从而减少了散热需求，提高了系统的可靠性和稳定性。
此外，该器件具有优异的热性能，采用TO-220封装能够有效散热，适用于高电流密度的设计。其快速的反向恢复时间（trr）接近于零，使得它在高频开关应用中表现出色，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和同步整流电路。
MBRF20H50CT 还具备良好的高温稳定性，在高温环境下仍能维持较低的漏电流，确保器件在恶劣工作条件下仍能稳定运行。该器件的结构设计也使其具备较强的浪涌电流承受能力，可应对突发的电流冲击，保护电路不受损坏。
由于其双共阴极配置，MBRF20H50CT 可用于双路整流或作为两个独立的二极管使用，适用于桥式整流电路、反向极性保护以及并联使用以提高电流承载能力。这种封装形式也便于安装和散热管理，适合用于各种工业电源、电信设备和汽车电子系统。
MBRF20H50CT 广泛应用于各类电源系统和电子设备中，特别是在需要高效、高频整流的场景中表现突出。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电池充电器、LED驱动电源、电机控制器、逆变器以及电信和网络设备的电源模块。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、DC-DC变换器以及发动机控制单元（ECU）中的电源管理电路。其高可靠性和宽温度范围也使其适用于工业自动化设备、测试仪器和工业控制系统中的电源整流和反向保护电路。
此外，MBRF20H50CT 还可用于构建同步整流电路，与MOSFET配合使用以进一步提高电源转换效率。其低正向压降和快速恢复特性在高频率工作的开关电源中尤为关键，能够有效降低能量损耗并减少电磁干扰（EMI）。
在设计中使用该器件时，应注意其最大工作电流和反向电压限制，并确保良好的散热措施，以保证长期稳定运行。
MBRB20H50CT, MBRF20H50CG, MBRF20H50CTT4, MBRF20H50CT-G
