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NTB85N03T4G 发布时间 时间:2025/7/8 23:08:13 查看 阅读:8

NTB85N03T4G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,专为高频开关应用设计。它采用先进的 Trench 工艺制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种高效率电源转换场景。
  该器件的最大漏源电压为 30V,连续漏极电流高达 85A(在 25℃ 结温下),并具备出色的热性能和电气性能。其封装形式通常为 TO-247 或其他大功率散热封装,便于安装和散热管理。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:85A(@Tj=25℃)
  导通电阻:1.4mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  栅极电荷:28nC(典型值)
  开关时间:ton=9ns,toff=25ns(典型值)
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

NTB85N03T4G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于降低传导损耗并提高整体效率。
  2. 快速开关速度,能够适应高频开关应用的需求。
  3. 高额定电流能力,适合大功率负载。
  4. 良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。
  5. 紧凑且高效的封装设计,便于 PCB 布局和散热管理。
  6. 内置反向二极管,支持续流功能。
  7. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

NTB85N03T4G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
  3. 电机驱动和控制电路。
  4. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换元件。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
  6. 工业自动化设备中的功率模块。
  7. 高效 LED 驱动器和照明系统。
  8. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)的电力电子部件。

替代型号

NTB85N03L,8870

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NTB85N03T4G参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)28V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C85A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.8 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs29nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2150pF @ 24V
  • 功率 - 最大80W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTB85N03T4GOS