NTB85N03T4G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,专为高频开关应用设计。它采用先进的 Trench 工艺制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种高效率电源转换场景。
该器件的最大漏源电压为 30V,连续漏极电流高达 85A(在 25℃ 结温下),并具备出色的热性能和电气性能。其封装形式通常为 TO-247 或其他大功率散热封装,便于安装和散热管理。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:85A(@Tj=25℃)
导通电阻:1.4mΩ(典型值,@Vgs=10V)
栅极电荷:28nC(典型值)
开关时间:ton=9ns,toff=25ns(典型值)
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
NTB85N03T4G 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度,能够适应高频开关应用的需求。
3. 高额定电流能力,适合大功率负载。
4. 良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行。
5. 紧凑且高效的封装设计,便于 PCB 布局和散热管理。
6. 内置反向二极管,支持续流功能。
7. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
NTB85N03T4G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换元件。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 工业自动化设备中的功率模块。
7. 高效 LED 驱动器和照明系统。
8. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)的电力电子部件。
NTB85N03L,8870