时间：2025/7/8 23:08:13
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NTB85N03T4G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高频开关应用设计。它采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效率电源转换场景。
该器件的最大漏源电压为 30V，连续漏极电流高达 85A（在 25℃ 结温下），并具备出色的热性能和电气性能。其封装形式通常为 TO-247 或其他大功率散热封装，便于安装和散热管理。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：85A（@Tj=25℃）
导通电阻：1.4mΩ（典型值，@Vgs=10V）
栅极电荷：28nC（典型值）
开关时间：ton=9ns，toff=25ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
NTB85N03T4G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度，能够适应高频开关应用的需求。
3. 高额定电流能力，适合大功率负载。
4. 良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
5. 紧凑且高效的封装设计，便于 PCB 布局和散热管理。
6. 内置反向二极管，支持续流功能。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
NTB85N03T4G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 电池管理系统（BMS）中的保护和切换元件。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 工业自动化设备中的功率模块。
7. 高效 LED 驱动器和照明系统。
8. 电动汽车（EV）及混合动力汽车（HEV）的电力电子部件。
NTB85N03L,8870
